PEALD的優點和組成是怎樣的？

 

　　PEALD技術具有多種優點。

　　該技術可以在非常低的溫度下進行，因此可以在溫度敏感的襯底上進行薄膜沉積。

 

　　由于該技術可以在高真空環境下進行，因此可以避免氧化或其他污染物質對沉積過程的干擾。

 

　　該技術具有非常高的控制性，可以精確控制每個原子層的沉積，從而實現高度一致的薄膜。

 

　　PEALD系統通常由兩個獨立的反應腔室組成，一個為前驅體腔室，另一個為等離子體腔室。前驅體腔室用于存儲和蒸發前驅體，而等離子體腔室用于產生等離子體并進行沉積。在雙腔室系統中，前驅體和反應氣體在兩個獨立的腔室中分別引入，然后進行沉積反應。

 

　　在該技術中，前驅體和反應氣體通過雙腔室系統被引入等離子體腔室中，然后被加熱至高溫以激活化學反應。等離子體會將前驅體轉化為氣相中的活性物種，并使其與襯底表面反應形成一層非常致密的原子層。然后，反應氣體被引入以清除未反應的前驅體和副產物，從而形成下一層原子層。這個過程可以不斷重復，直到需要的薄膜厚度達到為止。

 

　　該技術的應用非常廣泛，包括制造微電子器件、光學元件、傳感器和生物醫學器械。

 

　　在微電子領域，經常用于制造高質量的絕緣層、金屬閘極和導電氧化物。

 

　　在光學領域，則被用于制備光學薄膜、透鏡和反射鏡。

 

　　總的來說，雙腔室高真空等離子體PEALD技術是一種非常有前途的薄膜沉積技術。該技術可以在非常低的溫度下進行，具有高度的控制性和均勻性，因此被廣泛應用于微電子、光學和生物醫學等領域。