雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統

一、核心參數：  

產地類別：國產原子層沉積系統（ALD）  

襯底尺寸：6寸  

工藝溫度：RT-300℃  

前驅體數：最大可包括3組等離子體反應氣體，8組液體或固體反應前驅體  

重量：300KG  

尺寸(WxHxD)：1400*1000*1900mm  

均勻性：99%  

二、原子層沉積（Atomiclayerdeposition)是通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種技術，具有自限性和自飽和。原子層沉積技術主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無針孔、高保形的納米薄膜。  

三、產品描述：  

廈門韞茂科技公司的雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統（QBT-T），設備采用雙腔體設計，腔體之間可實現獨立控制，雙倍產出。腔體分別為PEALD腔室，粉末ALD腔室。由于雙腔體雙功能的設計，使設備可以在平片上實現等離子體ALD的生長工藝以及粉末ALD包覆工藝，設備配有獨立控制的300℃完整加熱反應腔室系統，保證工藝溫度均勻。該系統具有粉末樣品桶、晶圓載盤、全自動溫度控制、ALD前驅體源鋼瓶、自動溫度控制閥、工業級安全控制，以及現場RGA、QCM、臭氧發生器、手套箱、極片架等設計選項。是先進能源材料、催化劑材料、新型納米材料,半導體領域研究與應用的最佳研發工具之一。  

四、廈門韞茂科技有限公司為您提供雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統QBT-T的參數、價格、型號、原理等信息，QBT-T產地為福建、品牌為韞茂，型號為QBT-T，價格為100萬-200萬RMB，更多相關信息可咨詢，公司客服電話7*24小時為您服務。

五、技術參數：